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25년 하반기 TSMC 실리콘 포토닉스 시장 진출.

by 이센 2025. 4. 28.

 

2025년 하반기, TSMC와 광반도체 스타트업 (Avicena, Ayar Labs, Lightmatter) 회사와의 협력이 AI 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서 주목받고 있습니다.


TSMC, COUPE 기술로 실리콘 포토닉스 시장 진출
TSMC는 자사의 Compact Universal Photonic Engine (COUPE) 기술을 통해 실리콘 포토닉스 시장에 본격적으로 진입하고 있습니다. COUPE는 전자 집적 회로(EIC)와 광 집적 회로(PIC)를 3D로 적층하여 칩 간 고속 광통신을 가능하게 합니다.
TSMC는 이 기술을 기반으로 2025년 하반기에 1.6Tbps 광통신 모듈 양산을 시작하고, 2026년에는 CoWoS 패키징과 통합된 6.4Tbps급 솔루션을 선보일 계획입니다.


Avicena, TSMC와 협력하여 LightBundle™ 개발
Avicena는 자사의 LightBundle™ 기술을 위해 TSMC와 협력하여 고성능 포토디텍터(PD) 어레이를 개발하고 있습니다. 이 기술은 MicroLED 기반 광통신 솔루션으로, 1Tbps/mm 이상의 I/O 밀도와 10미터 이상의 칩 간 연결을 지원하며, 에너지 효율성은 1pJ/bit 미만입니다.


Ayar Labs, 세계 최초 UCIe 광 칩렛 공개
Ayar Labs는 세계 최초로 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express) 표준을 지원하는 광 칩렛을 공개했습니다. 이 칩렛은 8Tbps 대역폭을 제공하며, TSMC의 CMOS 공정을 통해 생산됩니다. 이를 통해 AI 및 HPC 시장을 겨냥한 광통신 솔루션을 상용화할 계획입니다.


Lightmatter, 광컴퓨팅 인터포저 Passage M1000 발표
Lightmatter는 자사의 3D 포토닉 인터포저 Passage M1000을 발표했습니다. 이 인터포저는 114Tbps의 총 대역폭을 제공하며, 다이 투 다이(D2D) 및 칩렛 간 고속 연결을 지원합니다. Lightmatter는 TSMC와의 협력을 통해 이 기술을 대규모로 생산, 차세대 AI 칩 설계 성능 극대화를 목표로 하고 있습니다.


NVIDIA, TSMC와 협력하여 실리콘 포토닉스 스위치 개발
NVIDIA는 TSMC와 협력하여 Spectrum-XQuantum-X 실리콘 포토닉스 스위치를 개발하고 있습니다. 이 스위치는 1.6Tbps 전송 속도를 제공하며, TSMC의 COUPE 기술을 활용하여 생산됩니다. 대규모 AI 데이터센터의 에너지 효율성과 성능 향상에 기여할 것으로 기대됩니다.


TSMC와 Ayar Labs, Avicena, Lightmatter 같은 광반도체 스타트업들의 협력은 AI 및 HPC 분야에서의 성능 향상과 에너지 효율성 개선에 중요한 역할을 하고 있습니다. 실리콘 포토닉스 기술은 2025~2026년을 기점으로 본격적인 상용화 국면에 진입할 것으로 전망됩니다.

 

 

1. 회사별 제품 구조 분석

Ayar Labs – TeraPHY™ Optical I/O

구성 구조

  • 광변조기(Modulator): 전기신호를 빛으로 변환
  • 광검출기(Photodetector): 빛을 다시 전기신호로 변환
  • 레이저 소스: 외부 혹은 패키지 내 집적 가능 (CWDM 방식 사용)
  • 전자 드라이버 및 수신기 회로: 광 입출력을 관리
  • TSMC CMOS 공정 기반으로 모든 구성 요소 집적

특징

  • TeraPHY™ 모듈은 UCIe 인터페이스 지원
  • 8Tbps급 I/O 성능
  • 전력 효율: 5 pJ/bit 이하
  • 고속 메모리 인터커넥트 (CXL, PCIe 대체 가능성)

Avicena – LightBundle™ MicroLED Optical Interconnect

구성 구조

  • Blue MicroLED Array (송신기 역할)
  • CMOS Photodetector Array (수신기 역할)
  • 드라이버 및 수신 회로: 직접전류구동(DC-biased driving)
  • 통신 프로토콜 회로: 비트 스트림 인코딩/디코딩
  • TSMC CMOS 이미지 센서 공정 기반

특징

  • MicroLED는 별도의 레이저 없이 직접 발광
  • 1Tbps/mm² 이상 전송 밀도
  • 단거리(<10m) 최적화: 칩렛 간, 메모리-프로세서 연결
  • 전력 효율: 1 pJ/bit 이하
  • 2.5D/3D IC 패키지와 쉽게 통합 가능

Lightmatter – Envise Processor + Passage M1000 Interposer

Envise Processor 구성

  • Photonic Computing Core: 광 간섭을 이용한 행렬 연산 (MVM)
  • Electronic Control Plane: 입력 데이터 준비 및 결과 디지털화
  • Analog to Digital Converter(ADC): 아날로그 광 결과를 디지털 변환
  • 온칩 레이저 소스 사용 가능

Passage M1000 Interposer 구성

  • 다중 광파 가이드층: 수백Tbps급 데이터 송신
  • 전기 I/O 레이어: 전통적 칩 신호도 함께 지원
  • TSMC 3DIC 공정 기반 제작
  • 최대 114Tbps 다이 간 통신 지원

특징

  • AI inference/training 모두 대응 가능
  • 전통적 전자칩 대비 에너지 소비 5~10배 절감
  • Memory wall 문제를 광통신으로 해결

2. TSMC 패키징 로드맵 (2024~2026)

COUPE 특징

  • 광 전송(광파가이드) + 전자 신호(전기 인터포저) 동시 지원
  • 레이저, 변조기, 광 검출기 통합
  • TSMC 자체 포토닉 IP 제공 (외부 스타트업 협력 기반)

요약

  • Ayar Labs: 레이저 기반 광변조기 통합 광 I/O, 장거리 고속 통신 (8Tbps+)
  • Avicena: MicroLED 직접 발광 기반 초저전력 광통신, 메모리-칩 간 통신 최적화
  • Lightmatter: 광 간섭 계산 코어 + 114Tbps 인터포저로 AI 가속
  • TSMC는 2025~26년에
    1. COUPE 기반 실리콘 포토닉스 통합
    2. 2.5D/3D 패키징 강화
    3. 실리콘 브릿지, 시스템 웨이퍼까지 확장
      로 AI 및 HPC 시대를 대비하는 중.